Gentec-EO QS9-H離散熱釋電傳感器描述：

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Gentec-EO QS9-H具有金屬涂層的離散熱釋電傳感器。高平均功率。

熱釋電感溫探測器

我們的熱釋電探測器是一種室溫感溫探測器，暴露于輻射源時，其電流輸出與溫度的變化率成正比。其輸出電流由方程式 I = p(T)·A·dT/dt 決定，其中 I 是電流，p(T) 是熱釋電系數，A 是前電極所定義的面積，dT/dt 是熱釋電晶體的溫度變化率。相比于其他紅外探測器，熱釋電探測器的優(yōu)點在于：室溫操作、廣譜響應、高靈敏度 (D*) 和快速響應（亞納秒內達到 50Ω負載）。

QS-L 和 QS-H 離散熱釋電探測器

我們的被動式離散熱釋電探測器直徑在 1 至 9 mm 之間，提供兩種配置：高靈敏度或高平均功率。其熱釋電探測器原件由金屬涂層 (MT) 覆蓋，并封裝在微型 TO-5 或 TO-8 罐內。左圖所示為兩種探測器的引腳。我們的有機黑涂層 (BL) 增強了光學吸收，有助于平坦化光譜響應。我們還提供多種可加入 TO 罐內的性紅外窗口。這些離散熱釋電探測器適用于脈沖激光應用。

QS-IF 和 QS-IL 電流模式混合型熱釋電探測器

此類探測器提供高增益 (>105 V/W) 和/或高帶寬 (>10 MHz)。在這一配置下，熱釋電傳感器元件與低噪聲運算放大器相結合。QS-IL 型號設計用于在低中頻率下獲得高性能，而 QS-IF 型號則在中高頻率下提供高性能。這些探測器非常易于使用。只需為運算放大器接通 +/- 10 至 15 V 的電源并添加一個外部電阻器（如有必要）以調節(jié)帶寬，您便可以測量從 nJ 到 mJ 以及從 nW 到 W 的脈沖、調制或斬波源。同時，此類探測器對任何類型的帶寬分析儀器或激光測量產品都非常適用。

電壓輸出 VS頻率

我們的 QS-VL 和 QS-IL 混合型探測器設計以較低的頻率在很大程度上提高電壓輸出，因此，探測器內包含電阻值在 100 GΩ 至 300 GΩ 范圍內的負載和反饋電阻。同時，此類探測器使用 8 引腳 TO 封裝，允許安裝“外部電阻器”以降低輸出并增加帶寬。左邊所示電路圖為 QS5-IL 探測器（帶 MT 涂層）的典型試驗接線圖。另一方面，我們的 QS-IF 系列設計用于高帶寬應用，因而內含一個較小的 100 MΩ 反饋電阻。

功率測量模式下的操作

如果您使用我們的 QS-IL 混合型探測器測量您的 CW 或高重復頻率源（準 CW）的功率（以瓦特為單位），那么需要使用一個光斬波器。左圖所示為 QS5-IL 與我們的 QS-I-TEST 評估測試盒配合使用時的典型電壓輸出。請注意，電壓輸出大致呈“方波”形，其上升和下降次數由電路的 RC 時間常數決定。光功率與峰值電壓和基準電壓之差成正比。在該模式下操作時，我們會對這些設備進行校準。

緊急測量模式下的操作

如果您需要在全光譜范圍內測量脈沖激光從 nJ 到 mJ 的性能，那么我們的熱釋電探測器是您的理想選擇！左圖的示波器軌跡為 QS9-IL 與作為積分焦耳計的 QS-I-TEST 配合使用時的典型輸出。請注意，該軌跡很快上升到峰值，然后較為緩慢地下降，這一軌跡由為積分電路選擇的 RC 時間常數決定。在這一配置下，您可以測量絕對脈沖能量、重復頻率和脈沖穩(wěn)定性。源的最大脈沖寬度由您選擇的 RC 時間常數決定，脈沖可以非常短！

廣譜響應

與光導和光電探測器不同，我們的熱釋電感溫探測器不局限于電磁頻譜的一小部分。它們是真正的廣譜探測器，靈敏度在 0.1 μm 至 3000 μm（遠紫外、遠紅外和太赫）之間。我們的涂層或熱釋電晶體所吸收的任何輻射都將產生可測量的信號。左圖中的兩條曲線所示為涂有 MT 涂層和 BL 涂層的探測器的相對光譜響應。請注意，根據可靠文獻，這些曲線的 NIST 溯源校準部分在 0.25 μm 至 15 μm 之間。對于大于 15 μm 的測量，目前沒有可追溯的光學標準。

主要特性

光譜響應寬

0.1 至 1000 μm

3個產品系列可供選擇：

QS-L:離散的熱釋電探測器，噪聲低

QS-H:離散的熱釋電探測器，平均功率高

QS-IL:混合的熱釋電探測器，電流模式，噪聲低

易于集成的格式

TO5 和 TO8 封裝使QS-H 探測器體積小，易于集成到現有系統中。

大面積傳感器

5 mm 和 9 mm 直徑的熱釋電傳感器使光學校準更容易

有多種紅外視窗可供選擇

石英： 0.2 – 3.5 μm

氟化鋇：0.2 – 17.5 μm

藍寶石：0.1 – 7.0 μm

硅：1.2 – 9.0 μm 和 22 – 100 μm

氬鍺：1.8 – 23 μm（10.6μm峰值）

產品規(guī)格